VBZL30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZL30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBZL30N06 datasheet

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VBZL30N06

VBZL30N06 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS 100 V 175 C Maximum Junction Temperature RDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 23 RDS(on) VGS = 4.5 V m ID 100 A Configuration Single D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

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