VBZL30N06 Todos los transistores

 

VBZL30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL30N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBZL30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  cn vbsemi
 vbzl30n06.pdf pdf_icon

VBZL30N06

VBZL30N06www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Maximum Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC23RDS(on) VGS = 4.5 V mID 100AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

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History: STI16NM50N | KIA12N65H | PDN2309S | PDN2311S | IPA60R125CFD7 | BUZ84A | SSFM3008

 

 
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