Справочник MOSFET. VBZL30N06

 

VBZL30N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  cn vbsemi
 vbzl30n06.pdf pdf_icon

VBZL30N06

VBZL30N06www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Maximum Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC23RDS(on) VGS = 4.5 V mID 100AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: S80N10S | NCEP026N10F | SFS12R08GNF | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.