VBZL30N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZL30N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
VBZL30N06 Datasheet (PDF)
vbzl30n06.pdf
VBZL30N06www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Maximum Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC23RDS(on) VGS = 4.5 V mID 100AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918