VBZL30N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL30N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL30N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL30N06 даташит

 ..1. Size:1075K  cn vbsemi
 vbzl30n06.pdf pdf_icon

VBZL30N06

VBZL30N06 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS 100 V 175 C Maximum Junction Temperature RDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 23 RDS(on) VGS = 4.5 V m ID 100 A Configuration Single D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

Другие IGBT... VBZFB50N06, VBZFB60N03, VBZFB70N03, VBZFB80N03, VBZJ12N06, VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, IRF630, VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06