Справочник MOSFET. VBZL30N06

 

VBZL30N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL30N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  cn vbsemi
 vbzl30n06.pdf pdf_icon

VBZL30N06

VBZL30N06www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS 100V 175 C Maximum Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 10 m Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC23RDS(on) VGS = 4.5 V mID 100AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unle

Другие MOSFET... VBZFB50N06 , VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , 7N65 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 .

History: IPD60R180P7 | KF9N25F | KQB27P06 | HX4N60 | SPB07N60C2 | HSBA8048 | WMK08N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.