VBZL45N03 Todos los transistores

 

VBZL45N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL45N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBZL45N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2288K  cn vbsemi
 vbzl45n03.pdf pdf_icon

VBZL45N03

VBZL45N03www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS 100VAvailable 175 C Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 32mRoHS* Low Thermal Resistance PackageCOMPLIANTRDS(on) VGS = 4.5 V m34ID 45AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC

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History: IRFZ14PBF | FMI16N60ES | IXFH60N50P3 | NP60N055VUK | 2N5515 | AON6226

 

 
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