Справочник MOSFET. VBZL45N03

 

VBZL45N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL45N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL45N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL45N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2288K  cn vbsemi
 vbzl45n03.pdf pdf_icon

VBZL45N03

VBZL45N03www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS 100VAvailable 175 C Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 32mRoHS* Low Thermal Resistance PackageCOMPLIANTRDS(on) VGS = 4.5 V m34ID 45AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC

Другие MOSFET... VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , K3569 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 .

History: IRF7862PBF

 

 
Back to Top

 


 
.