VBZL45N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZL45N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для VBZL45N03
VBZL45N03 Datasheet (PDF)
vbzl45n03.pdf
VBZL45N03www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS 100VAvailable 175 C Junction TemperatureRDS(on) VGS = 10 V 32mRoHS* Low Thermal Resistance PackageCOMPLIANTRDS(on) VGS = 4.5 V m34ID 45AConfiguration SingleDD2PAK (TO-263)GDGSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC
Другие MOSFET... VBZFB60N03 , VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , IRF9540 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 .
History: NP60N055VUK | IRFZ14PBF | FMI16N60ES | 2N5515 | IXFH60N50P3 | AON6226
History: NP60N055VUK | IRFZ14PBF | FMI16N60ES | 2N5515 | IXFH60N50P3 | AON6226
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640


