VBZL45N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL45N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL45N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL45N03 даташит

 ..1. Size:2288K  cn vbsemi
 vbzl45n03.pdf pdf_icon

VBZL45N03

VBZL45N03 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS 100 V Available 175 C Junction Temperature RDS(on) VGS = 10 V 32 m RoHS* Low Thermal Resistance Package COMPLIANT RDS(on) VGS = 4.5 V m 34 ID 45 A Configuration Single D D2PAK (TO-263) G D G S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC

Другие IGBT... VBZFB60N03, VBZFB70N03, VBZFB80N03, VBZJ12N06, VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, VBZL30N06, IRF9540, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06, VBZL80N08