VBZL50N06 Todos los transistores

 

VBZL50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBZL50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
 vbzl50n06.pdf pdf_icon

VBZL50N06

VBZL50N06www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 3 mRDS(on) VGS = 4.5 V 4 mAPPLICATIONSID 150A OR-ingConfiguration Single Server DC/DCDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE M

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History: IRFZ14PBF | NP60N055VUK | AON6226 | IXFH60N50P3 | 2N5515 | STD95N04

 

 
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