VBZL50N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZL50N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBZL50N06 datasheet

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VBZL50N06

VBZL50N06 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS Tested VDS 30 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU RDS(on) VGS = 10 V 3 m RDS(on) VGS = 4.5 V 4 m APPLICATIONS ID 150 A OR-ing Configuration Single Server DC/DC D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE M

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