Справочник MOSFET. VBZL50N06

 

VBZL50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
 vbzl50n06.pdf pdf_icon

VBZL50N06

VBZL50N06www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 3 mRDS(on) VGS = 4.5 V 4 mAPPLICATIONSID 150A OR-ingConfiguration Single Server DC/DCDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE M

Другие MOSFET... VBZFB70N03 , VBZFB80N03 , VBZJ12N06 , VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , 2N7000 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , VBZL70N03 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 .

History: DMN3016LK3 | DMN32D2LFB4 | IXTA42N15T

 

 
Back to Top

 


 
.