VBZL50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL50N06 даташит

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
 vbzl50n06.pdf pdf_icon

VBZL50N06

VBZL50N06 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS Tested VDS 30 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU RDS(on) VGS = 10 V 3 m RDS(on) VGS = 4.5 V 4 m APPLICATIONS ID 150 A OR-ing Configuration Single Server DC/DC D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE M

Другие IGBT... VBZFB70N03, VBZFB80N03, VBZJ12N06, VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, VBZL30N06, VBZL45N03, AON7408, VBZL60N03, VBZL60N06, VBZL70N03, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06, VBZL80N08, VBZM100N03