Справочник MOSFET. VBZL50N06

 

VBZL50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn vbsemi
 vbzl50n06.pdf pdf_icon

VBZL50N06

VBZL50N06www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 3 mRDS(on) VGS = 4.5 V 4 mAPPLICATIONSID 150A OR-ingConfiguration Single Server DC/DCDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE M

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | YTF840 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.