VBZL60N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZL60N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBZL60N03 datasheet

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VBZL60N03

VBZL60N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFET PRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS Tested VDS 30 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU RDS(on) VGS = 10 V 12 m RDS(on) VGS = 4.5 V 19 m APPLICATIONS ID 70 A OR-ing D Configuration Single Server DC/DC D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE

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VBZL60N03

VBZL60N06 www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature TrenchFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) VGS = 10 V 11 m RDS(on) VGS = 4.5 V 12 m 75 ID A Configuration Single D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit V

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