Справочник MOSFET. VBZL60N03

 

VBZL60N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZL60N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для VBZL60N03

 

 

VBZL60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  cn vbsemi
 vbzl60n03.pdf

VBZL60N03 VBZL60N03

VBZL60N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY 100 % Rg and UIS TestedVDS 30V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) VGS = 10 V 12mRDS(on) VGS = 4.5 V 19mAPPLICATIONSID 70 A OR-ing DConfiguration Single Server DC/DCD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE

 6.1. Size:1263K  cn vbsemi
 vbzl60n06.pdf

VBZL60N03 VBZL60N03

VBZL60N06www.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature TrenchFET Power MOSFETVDS 60VRDS(on) VGS = 10 V 11mRDS(on) VGS = 4.5 V 12 m75ID AConfiguration SingleDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitV

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top