VBZL70N03 Todos los transistores

 

VBZL70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZL70N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.260(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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VBZL70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2026K  cn vbsemi
 vbzl70n03.pdf pdf_icon

VBZL70N03

VBZL70N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS 200 VDefinitionRDS(on) VGS = 10 V 260 m Surface Mount370 Available in Tape and ReelRDS(on) VGS = 4.5 V m Dynamic dV/dt RatingID 10 A Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleling

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History: IRFZ14PBF | NP60N055VUK | AON6226 | IXFH60N50P3 | 2N5515 | STD95N04

 

 
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