VBZL70N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZL70N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.260 typ Ohm

Encapsulados: TO263

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VBZL70N03 datasheet

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VBZL70N03

VBZL70N03 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS 200 V Definition RDS(on) VGS = 10 V 260 m Surface Mount 370 Available in Tape and Reel RDS(on) VGS = 4.5 V m Dynamic dV/dt Rating ID 10 A Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleling

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