VBZL70N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZL70N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.260 typ Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для VBZL70N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL70N03 даташит

 ..1. Size:2026K  cn vbsemi
 vbzl70n03.pdf pdf_icon

VBZL70N03

VBZL70N03 www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS 200 V Definition RDS(on) VGS = 10 V 260 m Surface Mount 370 Available in Tape and Reel RDS(on) VGS = 4.5 V m Dynamic dV/dt Rating ID 10 A Repetitive Avalanche Rated Configuration Single Fast Switching Ease of Paralleling

Другие IGBT... VBZL100N04, VBZL120N08, VBZL150N03, VBZL30N06, VBZL45N03, VBZL50N06, VBZL60N03, VBZL60N06, 2N7002, VBZL80N03, VBZL80N04, VBZL80N06, VBZL80N08, VBZM100N03, VBZM100N04, VBZM120N15, VBZM12P10