Справочник MOSFET. VBZL70N03

 

VBZL70N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZL70N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.260(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для VBZL70N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZL70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2026K  cn vbsemi
 vbzl70n03.pdf pdf_icon

VBZL70N03

VBZL70N03www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS 200 VDefinitionRDS(on) VGS = 10 V 260 m Surface Mount370 Available in Tape and ReelRDS(on) VGS = 4.5 V m Dynamic dV/dt RatingID 10 A Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleling

Другие MOSFET... VBZL100N04 , VBZL120N08 , VBZL150N03 , VBZL30N06 , VBZL45N03 , VBZL50N06 , VBZL60N03 , VBZL60N06 , K4145 , VBZL80N03 , VBZL80N04 , VBZL80N06 , VBZL80N08 , VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , VBZM12P10 .

History: RU30P4H | SFB044N100C3 | 2SK1101-01MR | KP7129A | SQJ454EP | P5515BD

 

 
Back to Top

 


 
.