VBZM20N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZM20N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 355 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 220 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.017(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM20N10
VBZM20N10 Datasheet (PDF)
vbzm20n10.pdf
VBZM20N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE
vbzm20p06.pdf
VBZM20P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURES-60VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 100 % UIS Tested62 mRDS(on) VGS = 4.5 V 74 mAPPLICATIONSID -40A Load SwitchConfiguration SingleSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy
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