Справочник MOSFET. VBZM20N10

 

VBZM20N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM20N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBZM20N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM20N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:648K  cn vbsemi
 vbzm20n10.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

 8.1. Size:720K  cn vbsemi
 vbzm20p06.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURES-60VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 100 % UIS Tested62 mRDS(on) VGS = 4.5 V 74 mAPPLICATIONSID -40A Load SwitchConfiguration SingleSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

Другие MOSFET... VBZM100N03 , VBZM100N04 , VBZM120N15 , VBZM12P10 , VBZM13N50 , VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 , 4N60 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 , VBZM40N03 , VBZM40N10 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , VBZM50N03 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | 2SK1280 | CHM5813ESQ2GP | BSC017N04NSG

 

 
Back to Top

 


 
.