Справочник MOSFET. VBZM20N10

 

VBZM20N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM20N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM20N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:648K  cn vbsemi
 vbzm20n10.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

 8.1. Size:720K  cn vbsemi
 vbzm20p06.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURES-60VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 100 % UIS Tested62 mRDS(on) VGS = 4.5 V 74 mAPPLICATIONSID -40A Load SwitchConfiguration SingleSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK2161 | FL6L5201 | APTM100A23SCTG | RS1E300GN | CHM4955JGP | IXTA32P05T | SFT1445

 

 
Back to Top

 


 
.