Справочник MOSFET. VBZM20N10

 

VBZM20N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZM20N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VBZM20N10

 

 

VBZM20N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:648K  cn vbsemi
 vbzm20n10.pdf

VBZM20N10 VBZM20N10

VBZM20N10www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.017 at VGS = 10 V10070aCOMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersTO-220AB DGG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE

 8.1. Size:720K  cn vbsemi
 vbzm20p06.pdf

VBZM20N10 VBZM20N10

VBZM20P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURES-60VDS V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 100 % UIS Tested62 mRDS(on) VGS = 4.5 V 74 mAPPLICATIONSID -40A Load SwitchConfiguration SingleSTO-220ABGDG D STop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Sy

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top