VBZM20N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZM20N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBZM20N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM20N10 даташит

 ..1. Size:648K  cn vbsemi
 vbzm20n10.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20N10 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.017 at VGS = 10 V 100 70a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE

 8.1. Size:720K  cn vbsemi
 vbzm20p06.pdf pdf_icon

VBZM20N10

VBZM20P06 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES -60 VDS V TrenchFET Power MOSFET RDS(on) VGS = 10 V 100 % UIS Tested 62 m RDS(on) VGS = 4.5 V 74 m APPLICATIONS ID -40 A Load Switch Configuration Single S TO-220AB G D G D S Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sy

Другие IGBT... VBZM100N03, VBZM100N04, VBZM120N15, VBZM12P10, VBZM13N50, VBZM150N03, VBZM150N10, VBZM18N20, 12N60, VBZM20P06, VBZM30N06, VBZM3710, VBZM40N03, VBZM40N10, VBZM40P06, VBZM4N20, VBZM50N03