VBZM3710 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZM3710
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 127 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM3710
VBZM3710 Datasheet (PDF)
vbzm3710.pdf
VBZM3710www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) 100Available 175 C Junction TemperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036RoHS* Low Thermal Resistance PackageaCOMPLIANTID (A) 55 (Configuration SingleDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u
vbzm30n06.pdf
VBZM30N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 50 Available in Tape and Reel600.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
