VBZM3710 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZM3710

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 typ Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VBZM3710 datasheet

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VBZM3710

VBZM3710 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) 100 Available 175 C Junction Temperature RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 RoHS* Low Thermal Resistance Package a COMPLIANT ID (A) 55 ( Configuration Single D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

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VBZM3710

VBZM30N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 Available in Tape and Reel 60 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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