VBZM3710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZM3710

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBZM3710

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM3710 даташит

 ..1. Size:1869K  cn vbsemi
 vbzm3710.pdf pdf_icon

VBZM3710

VBZM3710 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) 100 Available 175 C Junction Temperature RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 RoHS* Low Thermal Resistance Package a COMPLIANT ID (A) 55 ( Configuration Single D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

 9.1. Size:1656K  cn vbsemi
 vbzm30n06.pdf pdf_icon

VBZM3710

VBZM30N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 Available in Tape and Reel 60 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие IGBT... VBZM12P10, VBZM13N50, VBZM150N03, VBZM150N10, VBZM18N20, VBZM20N10, VBZM20P06, VBZM30N06, IRFB3607, VBZM40N03, VBZM40N10, VBZM40P06, VBZM4N20, VBZM50N03, VBZM50N06, VBZM60N06, VBZM60P03