Справочник MOSFET. VBZM3710

 

VBZM3710 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM3710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM3710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1869K  cn vbsemi
 vbzm3710.pdf pdf_icon

VBZM3710

VBZM3710www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) 100Available 175 C Junction TemperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036RoHS* Low Thermal Resistance PackageaCOMPLIANTID (A) 55 (Configuration SingleDTO-220AB GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

 9.1. Size:1656K  cn vbsemi
 vbzm30n06.pdf pdf_icon

VBZM3710

VBZM30N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 50 Available in Tape and Reel600.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие MOSFET... VBZM12P10 , VBZM13N50 , VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 , VBZM20N10 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , AON7506 , VBZM40N03 , VBZM40N10 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , VBZM50N03 , VBZM50N06 , VBZM60N06 , VBZM60P03 .

 

 
Back to Top

 


 
.