VBZM40N10 Todos los transistores

 

VBZM40N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZM40N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 370 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 76 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2025 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZM40N10

 

VBZM40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  cn vbsemi
vbzm40n10.pdf

VBZM40N10
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VBZM40N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) 100 Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005a 100 % Rg and UIS testedID ( 120(A) Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seeDTO-220ABGSSSDGN-Channel MOSFET

 7.1. Size:813K  cn vbsemi
vbzm40n03.pdf

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VBZM40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V)30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.003 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.004ID (A) 120APPLICATIONSConfiguration Single OR-ingTO-220AB ServerD DC/DCGSG D S N-Channel MOSFET

 8.1. Size:895K  cn vbsemi
vbzm40p06.pdf

VBZM40N10
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VBZM40P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS -60 V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 19m 100 % UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V m26APPLICATIONSID -50A Load SwitchConfiguration SingleTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete

 9.1. Size:744K  cn vbsemi
vbzm4n20.pdf

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VBZM4N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-Ch

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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