VBZM40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZM40N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VBZM40N10 Datasheet (PDF)
vbzm40n10.pdf

VBZM40N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) 100 Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005a 100 % Rg and UIS testedID ( 120(A) Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seeDTO-220ABGSSSDGN-Channel MOSFET
vbzm40n03.pdf

VBZM40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V)30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.003 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.004ID (A) 120APPLICATIONSConfiguration Single OR-ingTO-220AB ServerD DC/DCGSG D S N-Channel MOSFET
vbzm40p06.pdf

VBZM40P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS -60 V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 19m 100 % UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V m26APPLICATIONSID -50A Load SwitchConfiguration SingleTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete
vbzm4n20.pdf

VBZM4N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-Ch
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SSM5H16TU | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | MTB09N06Q8 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV
History: SSM5H16TU | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | MTB09N06Q8 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent