VBZM40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBZM40N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBZM40N10
VBZM40N10 Datasheet (PDF)
vbzm40n10.pdf

VBZM40N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) 100 Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005a 100 % Rg and UIS testedID ( 120(A) Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seeDTO-220ABGSSSDGN-Channel MOSFET
vbzm40n03.pdf

VBZM40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V)30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.003 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.004ID (A) 120APPLICATIONSConfiguration Single OR-ingTO-220AB ServerD DC/DCGSG D S N-Channel MOSFET
vbzm40p06.pdf

VBZM40P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS -60 V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 19m 100 % UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V m26APPLICATIONSID -50A Load SwitchConfiguration SingleTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete
vbzm4n20.pdf

VBZM4N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-Ch
Другие MOSFET... VBZM150N03 , VBZM150N10 , VBZM18N20 , VBZM20N10 , VBZM20P06 , VBZM30N06 , VBZM3710 , VBZM40N03 , AO4407 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , VBZM50N03 , VBZM50N06 , VBZM60N06 , VBZM60P03 , VBZM630 , VBZM630Y .
History: CEP85N75 | SSM6P36FE | 2SK2826 | HM60N03D | FTK2102 | BUK9230-100B
History: CEP85N75 | SSM6P36FE | 2SK2826 | HM60N03D | FTK2102 | BUK9230-100B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent