Справочник MOSFET. VBZM40N10

 

VBZM40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZM40N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZM40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  cn vbsemi
vbzm40n10.pdfpdf_icon

VBZM40N10

VBZM40N10www.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFETVDS (V) 100 Maximum 175 C junction temperatureRDS(on) () at VGS = 10 V 0.005a 100 % Rg and UIS testedID ( 120(A) Material categorization:Configuration Singlefor definitions of compliance please seeDTO-220ABGSSSDGN-Channel MOSFET

 7.1. Size:813K  cn vbsemi
vbzm40n03.pdfpdf_icon

VBZM40N10

VBZM40N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V)30 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.003 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EURDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.004ID (A) 120APPLICATIONSConfiguration Single OR-ingTO-220AB ServerD DC/DCGSG D S N-Channel MOSFET

 8.1. Size:895K  cn vbsemi
vbzm40p06.pdfpdf_icon

VBZM40N10

VBZM40P06www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS -60 V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 19m 100 % UIS TestedRDS(on) VGS = 4.5 V m26APPLICATIONSID -50A Load SwitchConfiguration SingleTO-220ABSGDG D SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete

 9.1. Size:744K  cn vbsemi
vbzm4n20.pdfpdf_icon

VBZM40N10

VBZM4N20www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.110 at VGS = 10 V2 0 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220ABAPPLICATIONS Primary Side SwitchDDRAIN connected to TAB GG D S Top ViewSN-Ch

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSM5H16TU | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | MTB09N06Q8 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.