VBZM60P03 Todos los transistores

 

VBZM60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZM60P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBZM60P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  cn vbsemi
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VBZM60P03

VBZM60P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS -30V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 8m 100 % Rg TestedRoHSRDS(on) VGS = 4.5 V 11mCOMPLIANT 100 % UIS TestedID -70AAPPLICATIONSConfiguration Single Load Switch Notebook Adaptor SwitchTO-220AB S G G D SD Top ViewP-C

 8.1. Size:846K  cn vbsemi
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VBZM60P03

VBZM60N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS 60V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization:ID 120AConfiguration SingleTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-So

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VBZM60P03

VBZM630www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RAT

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VBZM60P03

VBZM630Ywww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.058at VGS =10V35200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D SSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: CS630FA9H | SIR496DP | IRFR9220 | HGB210N20S | AO4914 | AMR430N | BFC23

 

 
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