VBZM60P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBZM60P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBZM60P03
VBZM60P03 Datasheet (PDF)
vbzm60p03.pdf

VBZM60P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS -30V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 8m 100 % Rg TestedRoHSRDS(on) VGS = 4.5 V 11mCOMPLIANT 100 % UIS TestedID -70AAPPLICATIONSConfiguration Single Load Switch Notebook Adaptor SwitchTO-220AB S G G D SD Top ViewP-C
vbzm60n06.pdf

VBZM60N06www.VBsemi.comN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS 60V TrenchFET Power MOSFETRDS(on) VGS = 10 V 5 m Material categorization:ID 120AConfiguration SingleTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-So
vbzm630.pdf

VBZM630www.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature0.270 at VGS =10V10200 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchTO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RAT
vbzm630y.pdf

VBZM630Ywww.VBsemi.comN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.058at VGS =10V35200 COMPLIANT New Low Thermal Resistance Package Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D SSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA
Другие MOSFET... VBZM3710 , VBZM40N03 , VBZM40N10 , VBZM40P06 , VBZM4N20 , VBZM50N03 , VBZM50N06 , VBZM60N06 , IRFZ24N , VBZM630 , VBZM630Y , VBZM75N03 , VBZM75N80 , VBZM75NF75 , VBZM80N03 , VBZM80N04 , VBZM80N06 .
History: AP4604IN | SST65R600S2E | CS4N150VF | DMN3010LFG | NCE70N1K4K | JCS5N60FB
History: AP4604IN | SST65R600S2E | CS4N150VF | DMN3010LFG | NCE70N1K4K | JCS5N60FB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906