VBZP50N50S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBZP50N50S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO247AC

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VBZP50N50S datasheet

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VBZP50N50S

VBZP50N50S www.VBsemi.com N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 14 Con

Otros transistores... VBZMB18N50, VBZMB18N65, VBZMB20N65, VBZMB20N65S, VBZMB2N65, VBZMB4N65, VBZMB7N65, VBZMB8N60, STP65NF06, VBZQA120N03, VBZQA50N03, VBZQA50P03, VBZQA80N03, VBZQF50N03, VBZQF50P03, WNM2016-3, WNM2020-3