VBZP50N50S Todos los transistores

 

VBZP50N50S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBZP50N50S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
 

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VBZP50N50S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  cn vbsemi
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VBZP50N50S

VBZP50N50S www.VBsemi.comN-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14Con

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History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G

 

 
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