VBZP50N50S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZP50N50S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для VBZP50N50S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZP50N50S даташит

 ..1. Size:852K  cn vbsemi
 vbzp50n50s.pdf pdf_icon

VBZP50N50S

VBZP50N50S www.VBsemi.com N-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 14 Con

Другие IGBT... VBZMB18N50, VBZMB18N65, VBZMB20N65, VBZMB20N65S, VBZMB2N65, VBZMB4N65, VBZMB7N65, VBZMB8N60, STP65NF06, VBZQA120N03, VBZQA50N03, VBZQA50P03, VBZQA80N03, VBZQF50N03, VBZQF50P03, WNM2016-3, WNM2020-3