VBZP50N50S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZP50N50S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для VBZP50N50S
VBZP50N50S Datasheet (PDF)
vbzp50n50s.pdf
VBZP50N50S www.VBsemi.comN-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14Con
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918