Справочник MOSFET. VBZP50N50S

 

VBZP50N50S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBZP50N50S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для VBZP50N50S

 

 

VBZP50N50S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  cn vbsemi
 vbzp50n50s.pdf

VBZP50N50S VBZP50N50S

VBZP50N50S www.VBsemi.comN-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14Con

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top