Справочник MOSFET. VBZP50N50S

 

VBZP50N50S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBZP50N50S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC
 

 Аналог (замена) для VBZP50N50S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZP50N50S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:852K  cn vbsemi
 vbzp50n50s.pdf pdf_icon

VBZP50N50S

VBZP50N50S www.VBsemi.comN-Channel 500-V (D-S) Super Junction MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 500 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.240 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14Con

Другие MOSFET... VBZMB18N50 , VBZMB18N65 , VBZMB20N65 , VBZMB20N65S , VBZMB2N65 , VBZMB4N65 , VBZMB7N65 , VBZMB8N60 , IRFZ48N , VBZQA120N03 , VBZQA50N03 , VBZQA50P03 , VBZQA80N03 , VBZQF50N03 , VBZQF50P03 , WNM2016-3 , WNM2020-3 .

 

 
Back to Top

 


 
.