VBZQF50P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBZQF50P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBZQF50P03
VBZQF50P03 Datasheet (PDF)
vbzqf50p03.pdf
VBZQF50P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESVVDS -30 TrenchFET power MOSFET 100 % Rg and UIS testedRDS(on),typ VGS=10V 9 mRDS(on),typ VGS=4.5V 17 mAPPLICATIONSAID -50 Notebook battery charging Notebook adapter switchDFN 3x3 EPS Bottom View Top View Top ViewG18 273645DPin 1P-Channel MOSFETABSOLUTE M
vbzqf50n03.pdf
VBZQF50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES30 VVDS Halogen-freeRDS(on),typ VGS=10V 13 m TrenchFET Power MOSFETRoHSRDS(on),typ VGS=4.5V 19 m 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT ID 50 AAPPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View Bottom View Top View 1827G 36
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