VBZQF50P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBZQF50P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
Аналог (замена) для VBZQF50P03
VBZQF50P03 Datasheet (PDF)
vbzqf50p03.pdf
VBZQF50P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESVVDS -30 TrenchFET power MOSFET 100 % Rg and UIS testedRDS(on),typ VGS=10V 9 mRDS(on),typ VGS=4.5V 17 mAPPLICATIONSAID -50 Notebook battery charging Notebook adapter switchDFN 3x3 EPS Bottom View Top View Top ViewG18 273645DPin 1P-Channel MOSFETABSOLUTE M
vbzqf50n03.pdf
VBZQF50N03www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURES30 VVDS Halogen-freeRDS(on),typ VGS=10V 13 m TrenchFET Power MOSFETRoHSRDS(on),typ VGS=4.5V 19 m 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT ID 50 AAPPLICATIONS DC/DC Conversion- Low-Side Switch Notebook PC GamingD DFN 3x3 EPTop View Bottom View Top View 1827G 36
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100