VBZQF50P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZQF50P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для VBZQF50P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZQF50P03 даташит

 ..1. Size:1952K  cn vbsemi
 vbzqf50p03.pdf pdf_icon

VBZQF50P03

VBZQF50P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES V VDS -30 TrenchFET power MOSFET 100 % Rg and UIS tested RDS(on),typ VGS=10V 9 m RDS(on),typ VGS=4.5V 17 m APPLICATIONS A ID -50 Notebook battery charging Notebook adapter switch DFN 3x3 EP S Bottom View Top View Top View G 1 8 2 7 3 6 4 5 D Pin 1 P-Channel MOSFET ABSOLUTE M

 7.1. Size:1989K  cn vbsemi
 vbzqf50n03.pdf pdf_icon

VBZQF50P03

VBZQF50N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES 30 V VDS Halogen-free RDS(on),typ VGS=10V 13 m TrenchFET Power MOSFET RoHS RDS(on),typ VGS=4.5V 19 m 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT ID 50 A APPLICATIONS DC/DC Conversion - Low-Side Switch Notebook PC Gaming D DFN 3x3 EP Top View Bottom View Top View 1 8 2 7 G 3 6

Другие IGBT... VBZMB7N65, VBZMB8N60, VBZP50N50S, VBZQA120N03, VBZQA50N03, VBZQA50P03, VBZQA80N03, VBZQF50N03, IRLB3034, WNM2016-3, WNM2020-3, WPM2015-3-TR, WPM2341A-3-TR, XP132A1275SR, XP161A11A1PR, XP161A1355PR, XP202A0003PR