NCE30H15 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NCE30H15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE30H15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO220

Búsqueda de reemplazo de NCE30H15 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

NCE30H15 datasheet

..1. Size:398K ncepower
nce30h15.pdf pdf_icon

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H15 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

0.1. Size:754K ncepower
nce30h15bg.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE30H15BG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =30V,I =150A DS D Description R

0.2. Size:441K ncepower
nce30h15k.pdf pdf_icon

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H15K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

0.3. Size:723K ncepower
nce30h15b.pdf pdf_icon

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H15B NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15B uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =150A DS D R

Otros transistores... NCE30D0808J, NCE30D2519K, NCE30H10AK, NCE30H10K, NCE30H11BK, NCE30H11K, NCE30H12, NCE30H14K, IRFZ46N, NCE30H15K, NCE30H29D, NCE30ND07AS, NCE30ND07S, NCE30ND09S, NCE30NP07S, NCE30NP1812K, NCE30P12S

NCE30H15 Todos los transistores