NCE30H15 Todos los transistores

 

NCE30H15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE30H15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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NCE30H15 Datasheet (PDF)

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NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 0.1. Size:754K  ncepower
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NCE30H15

http://www.ncepower.com NCE30H15BGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =150ADS DDescriptionR

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NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 0.3. Size:723K  ncepower
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NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15B uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR

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History: RCJ450N20 | CRST055N08N | RCX220N25 | MTB3D0N03BH8 | WMP07N60C4 | SFP055N80C2 | R8005ANX

 

 
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