Справочник MOSFET. NCE30H15

 

NCE30H15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30H15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для NCE30H15

 

 

NCE30H15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  ncepower
 nce30h15.pdf

NCE30H15 NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 0.1. Size:754K  ncepower
 nce30h15bg.pdf

NCE30H15 NCE30H15

http://www.ncepower.com NCE30H15BGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =150ADS DDescriptionR

 0.2. Size:441K  ncepower
 nce30h15k.pdf

NCE30H15 NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 0.3. Size:723K  ncepower
 nce30h15b.pdf

NCE30H15 NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15B uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR

 0.4. Size:693K  ncepower
 nce30h15bk.pdf

NCE30H15 NCE30H15

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15BK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top