NCE30P25S Todos los transistores

 

NCE30P25S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE30P25S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 486 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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NCE30P25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  ncepower
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NCE30P25S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P25SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

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NCE30P25S

http://www.ncepower.comNCE30P25BQNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = -30V,I = -25ADS DDescriptionR

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NCE30P25S

http://www.ncepower.com NCE30P25QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

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NCE30P25S

http://www.ncepower.com NCE30P28QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -28A RDS(ON)

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History: STI32N65M5 | SWD7N60K2F

 

 
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