Справочник MOSFET. NCE30P25S

 

NCE30P25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE30P25S
   Маркировка: 30P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 486 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для NCE30P25S

 

 

NCE30P25S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  ncepower
 nce30p25s.pdf

NCE30P25S NCE30P25S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P25SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

 6.1. Size:735K  ncepower
 nce30p25bq.pdf

NCE30P25S NCE30P25S

http://www.ncepower.comNCE30P25BQNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = -30V,I = -25ADS DDescriptionR

 6.2. Size:682K  ncepower
 nce30p25q.pdf

NCE30P25S NCE30P25S

http://www.ncepower.com NCE30P25QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)

 7.1. Size:256K  ncepower
 nce30p28q.pdf

NCE30P25S NCE30P25S

http://www.ncepower.com NCE30P28QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -28A RDS(ON)

 7.2. Size:345K  ncepower
 nce30p20q.pdf

NCE30P25S NCE30P25S

http://www.ncepower.com NCE30P20QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -20A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HSU100P03 | WMM12N80M3

 

 
Back to Top