NCE30P25S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCE30P25S
Маркировка: 30P25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 486 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
NCE30P25S Datasheet (PDF)
nce30p25s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30P25SNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)
nce30p25bq.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.comNCE30P25BQNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = -30V,I = -25ADS DDescriptionR
nce30p25q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.com NCE30P25QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON)
nce30p28q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.com NCE30P28QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -28A RDS(ON)
nce30p20q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.com NCE30P20QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -20A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .