FDC855N Todos los transistores

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FDC855N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDC855N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.027 Ohm

Empaquetado / Estuche: SSOT

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FDC855N Datasheet (PDF)

1.1. fdc855n.pdf Size:279K _fairchild_semi

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January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m? Features General Description Max rDS(on) = 27m? at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m? at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductors advanced PowerTrench process, thi

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