FDC855N - описание и поиск аналогов

 

FDC855N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDC855N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SSOT6

Аналог (замена) для FDC855N

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC855N даташит

 ..1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

FDC855N

January 2008 FDC855N tm Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27m Features General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3A Semiconductor s advanced PowerTrench

Другие MOSFET... FDC6401N , FDC6420C , STU15L01 , FDC642P , FDC642PF085 , FDC655BN , STU1530PL , FDC658AP , IRF9540N , STU12L01 , FDC8601 , STU10N25 , FDC8602 , STU10N20 , FDC86244 , FDD050N03B , STU10N10 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.