Справочник MOSFET. FDC855N

 

FDC855N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDC855N
   Маркировка: .855
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SSOT6
 

 Аналог (замена) для FDC855N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDC855N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  fairchild semi
 fdc855n.pdf pdf_icon

FDC855N

January 2008FDC855NtmSingle N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 30V, 6.1A, 27mFeatures General Description Max rDS(on) = 27m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild Max rDS(on) = 36m at VGS = 4.5V, ID = 5.3ASemiconductors advanced PowerTrench

Другие MOSFET... FDC6401N , FDC6420C , STU15L01 , FDC642P , FDC642PF085 , FDC655BN , STU1530PL , FDC658AP , IRF1010E , STU12L01 , FDC8601 , STU10N25 , FDC8602 , STU10N20 , FDC86244 , FDD050N03B , STU10N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.