NCE4801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE4801
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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NCE4801 Datasheet (PDF)

..1. Size:325K ncepower
nce4801.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE4801NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -5A

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Liste

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