Справочник MOSFET. NCE4801

 

NCE4801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE4801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  ncepower
 nce4801.pdf pdf_icon

NCE4801

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE4801NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -5A

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | 2N4447 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | AONS36316

 

 
Back to Top

 


 
.