NCE4801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE4801

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NCE4801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4801 даташит

 ..1. Size:325K  ncepower
 nce4801.pdf pdf_icon

NCE4801

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE4801 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -5A

Другие IGBT... NCE40P13S, NCE40P15K, NCE40P40K, NCE40P40L, NCE40P70K, NCE4435, NCE4606A, NCE4614, IRLB4132, NCE4963, NCE55H12, NCE55P15I, NCE55P15K, NCE55P30, NCE55P30K, NCE6003, NCE6003M