NCE6990D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE6990D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 69 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 94 nC
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0072 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE6990D
NCE6990D Datasheet (PDF)
..1. nce6990d.pdf 
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Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)
7.1. nce6990.pdf Size:399K _ncepower
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)
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