NCE6990D Todos los transistores

 

NCE6990D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE6990D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 69 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 94 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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NCE6990D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  ncepower
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NCE6990D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

 7.1. Size:399K  ncepower
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NCE6990D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

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History: HCFL65R210

 

 
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