NCE6990D Todos los transistores

 

NCE6990D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE6990D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 69 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 94 nC

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0072 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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NCE6990D Datasheet (PDF)

..1. nce6990d.pdf Size:435K _ncepower

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Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

7.1. nce6990.pdf Size:399K _ncepower

NCE6990D
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Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

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