Справочник MOSFET. NCE6990D

 

NCE6990D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE6990D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 69 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для NCE6990D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6990D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  ncepower
 nce6990d.pdf pdf_icon

NCE6990D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

 7.1. Size:399K  ncepower
 nce6990.pdf pdf_icon

NCE6990D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6990NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6990 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =69V,ID =90A RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE65TF180T , NCE65TF360D , NCE65TF360 , NCE65TF360F , NCE6802 , NCE6890 , NCE6890K , NCE6990 , IRF1010E , NCE70T180D , NCE70T180 , NCE70T180F , NCE70T1K2K , NCE70T1K2I , NCE70T1K2R , NCE70T260D , NCE70T260 .

History: FCH130N60 | ME2614

 

 
Back to Top

 


 
.