NCE7190A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE7190A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 71 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: TO220
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NCE7190A datasheet
nce7190a.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE7190A NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE7190A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features VDS =71V,ID =90A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... NCE70T680D, NCE70T680, NCE70T680F, NCE70T900D, NCE70T900, NCE70T900F, NCE70T900I, NCE70T900K, BS170, NCE7560K, NCE80H12, NCE80H12D, NCE80H15, NCE80H16, NCE80T320D, NCE80T320, NCE80T320F
History: SSP65R190S2E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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