NCE7190A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCE7190A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 71 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE7190A
NCE7190A Datasheet (PDF)
nce7190a.pdf
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE7190ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE7190A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features VDS =71V,ID =90A Schematic diagram RDS(ON)
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Liste
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