Справочник MOSFET. NCE7190A

 

NCE7190A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE7190A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 71 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCE7190A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE7190A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  ncepower
 nce7190a.pdf pdf_icon

NCE7190A

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE7190ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE7190A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features VDS =71V,ID =90A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE70T680D , NCE70T680 , NCE70T680F , NCE70T900D , NCE70T900 , NCE70T900F , NCE70T900I , NCE70T900K , 18N50 , NCE7560K , NCE80H12 , NCE80H12D , NCE80H15 , NCE80H16 , NCE80T320D , NCE80T320 , NCE80T320F .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.