FDD14AN06LA0F085 Todos los transistores

 

FDD14AN06LA0F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD14AN06LA0F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FDD14AN06LA0F085 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDD14AN06LA0F085 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0F085

January 2004FDD14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0F085

December 2010FDD14AN06LA0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Otros transistores... FDD050N03B , STU10N10 , FDD10AN06A0 , FDD10N20LZ , STU10L01 , FDD120AN15A0 , FDD13AN06A0 , FDD13AN06A0F085 , IRF1407 , FDD16AN08A0 , FDD16AN08A0F085 , FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 , FDD2572 , FDD2572F085 .

History: LND4N80 | LND5N65B | FDD8778 | VMM45-02F | STP6N25 | LNDN12N65 | FDD8796

 

 
Back to Top

 


 
.