Справочник MOSFET. FDD14AN06LA0F085

 

FDD14AN06LA0F085 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD14AN06LA0F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD14AN06LA0F085

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD14AN06LA0F085 Datasheet (PDF)

 2.1. Size:224K  fairchild semi
 fdd14an06la0.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0F085

January 2004FDD14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC

 4.1. Size:372K  fairchild semi
 fdd14an06l f085.pdf pdf_icon

FDD14AN06LA0F085

December 2010FDD14AN06LA0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 25nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие MOSFET... FDD050N03B , STU10N10 , FDD10AN06A0 , FDD10N20LZ , STU10L01 , FDD120AN15A0 , FDD13AN06A0 , FDD13AN06A0F085 , AON7506 , FDD16AN08A0 , FDD16AN08A0F085 , FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 , FDD2572 , FDD2572F085 .

History: SSM3J109TU | IPP65R074C6 | FQB22P10

 

 
Back to Top

 


 
.