NCE8295AD Todos los transistores

 

NCE8295AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE8295AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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NCE8295AD datasheet

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NCE8295AD

http //www.ncepower.com NCE8295AG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE8295AG uses advanced trench technology and design V =82V,I =95A DS D to provide excellent R with low gate charge. This device is R

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NCE8295AD

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8295AI NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8295AI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. This device is DS(ON) suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Schematic diagram General Features V =82V,I =95A DS D R

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