NCE8295AD - описание и поиск аналогов

 

NCE8295AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE8295AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для NCE8295AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE8295AD даташит

 ..1. Size:393K  ncepower
 nce8295ad.pdf pdf_icon

NCE8295AD

 6.1. Size:612K  ncepower
 nce8295ag.pdf pdf_icon

NCE8295AD

http //www.ncepower.com NCE8295AG NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE8295AG uses advanced trench technology and design V =82V,I =95A DS D to provide excellent R with low gate charge. This device is R

 6.2. Size:419K  ncepower
 nce8295ak.pdf pdf_icon

NCE8295AD

 6.3. Size:687K  ncepower
 nce8295ai.pdf pdf_icon

NCE8295AD

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE8295AI NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8295AI uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. This device is DS(ON) suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Schematic diagram General Features V =82V,I =95A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE80T900 , NCE80T900F , NCE8205 , NCE8205A , NCE8205I , NCE8205t , NCE8290AC , NCE8295A , IRF1405 , NCE8295AK , NCE82H110 , NCE82H110D , NCE82H140D , NCE85H21 , NCE85H21C , NCE8804 , NCE9435 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.