FDD18N20LZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD18N20LZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD18N20LZ

FDD18N20LZ Datasheet (PDF)

..1. Size:1212K fairchild semi
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..2. Size:417K onsemi
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MOSFET N-Channel,UniFETt200 V, 16 A, 125 mWFDD18N20LZDescriptionwww.onsemi.comUniFET MOSFET is ON Semiconductors high voltage MOSFETfamily based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFETDis tailored to reduce on-state resistance, and to provide betterswitching performance and higher avalanche energy strength. ThisGdevice family is suitable for switching po

..3. Size:1699K cn vbsemi
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Liste

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