FDD18N20LZ Todos los transistores

 

FDD18N20LZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD18N20LZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FDD18N20LZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1212K  fairchild semi
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FDD18N20LZ

December 2013FDD18N20LZN-Channel UniFETTM MOSFET 200 V, 16 A, 125 mFeatures Description R DS(on) = 125 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 8 A UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 30 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low CRSS (Typ. 25 pF)

 ..2. Size:417K  onsemi
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FDD18N20LZ

MOSFET N-Channel,UniFETt200 V, 16 A, 125 mWFDD18N20LZDescriptionwww.onsemi.comUniFET MOSFET is ON Semiconductors high voltage MOSFETfamily based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFETDis tailored to reduce on-state resistance, and to provide betterswitching performance and higher avalanche energy strength. ThisGdevice family is suitable for switching po

 ..3. Size:1699K  cn vbsemi
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FDD18N20LZ

FDD18N20LZwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: IXFK44N50P

 

 
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