NCEP035N85GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCEP035N85GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEP035N85GU

NCEP035N85GU Datasheet (PDF)

..1. Size:326K ncepower
ncep035n85gu.pdf

http://www.ncepower.com NCEP035N85GUNCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP035N85GU uses Super Trench II technology that is VDS =85V,ID =135A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremel

4.1. Size:414K ncepower
ncep035n85 ncep035n85d.pdf

NCEP035N85,NCEP035N85Dhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is VDS =85V,ID =150A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=3.3m , typical (TO-220)@ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.1m

4.2. Size:414K ncepower
ncep035n85d.pdf