STU09N25 Todos los transistores

 

STU09N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU09N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

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STU09N25 Datasheet (PDF)

1.1. stu09n25 std09n25.pdf Size:127K _samhop

STU09N25
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STU09N25 Green Product STD09N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max Rugged and reliable. 250V 7.5A 0.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK ABSOLUTE MAXIM

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