STU09N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU09N25  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU09N25 datasheet

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STU09N25

STU09N25 Green Product STD09N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 250V 7.5A 0.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK ABSOLUTE MAXIM

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