STU09N25 Todos los transistores

 

STU09N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU09N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 250 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 58 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252 DPAK

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STU09N25 Datasheet (PDF)

0.1. stu09n25 std09n25.pdf Size:127K _samhop

STU09N25
STU09N25

STU09N25GreenProductSTD09N25aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.250V 7.5A 0.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAKABSOLUTE MAXIM

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