STU09N25 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU09N25 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de STU09N25 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STU09N25 datasheet
stu09n25 std09n25.pdf
STU09N25 Green Product STD09N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 250V 7.5A 0.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK ABSOLUTE MAXIM
Otros transistores... FDD18N20LZ, STU102S, FDD20AN06A0F085, FDD24AN06LA0F085, FDD2572, FDD2572F085, FDD2582, FDD2670, IRFP250, FDD26AN06A0F085, FDD306P, FDD3510H, STU06L01, FDD3670, STU04N20, FDD3672, STU03N20
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent
