STU09N25 - аналоги и даташиты транзистора

 

STU09N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STU09N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU09N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU09N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  samhop
 stu09n25 std09n25.pdf pdf_icon

STU09N25

STU09N25GreenProductSTD09N25aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.250V 7.5A 0.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAKABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0F085 , FDD24AN06LA0F085 , FDD2572 , FDD2572F085 , FDD2582 , FDD2670 , 10N65 , FDD26AN06A0F085 , FDD306P , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 .

History: VS1401ATH | GWM13S65YRE

 

 
Back to Top

 


 
.