STU09N25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU09N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
STU09N25 Datasheet (PDF)
0.1. stu09n25 std09n25.pdf 
Size:127K _samhop
STU09N25GreenProductSTD09N25aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.250V 7.5A 0.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAKABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... FDD18N20LZ , STU102S , FDD20AN06A0_F085 , FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572 , FDD2572_F085 , FDD2582 , FDD2670 , 2SK3568 , FDD26AN06A0_F085 , FDD306P , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 .
