STU09N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STU09N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STU09N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU09N25 даташит

 ..1. Size:127K  samhop
 stu09n25 std09n25.pdf pdf_icon

STU09N25

STU09N25 Green Product STD09N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 250V 7.5A 0.4 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... FDD18N20LZ, STU102S, FDD20AN06A0F085, FDD24AN06LA0F085, FDD2572, FDD2572F085, FDD2582, FDD2670, IRFP250, FDD26AN06A0F085, FDD306P, FDD3510H, STU06L01, FDD3670, STU04N20, FDD3672, STU03N20