FDD306P Todos los transistores

 

FDD306P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD306P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK

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FDD306P Datasheet (PDF)

1.1. fdd306p.pdf Size:505K _fairchild_semi

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January 2005 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET Features Applications ■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = –4.5 V ■ DC/DC converter RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = –1.8 V General Description ■ Fast switching speed This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s ■ High performance trench technology for ext

Otros transistores... FDD20AN06A0_F085 , FDD24AN06LA0_F085 , FDD2572 , FDD2572_F085 , FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0_F085 , IRF640N , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , STU04N20 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672_F085 , STU03L07 .

 

 
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