FDD306P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDD306P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.5 V
Carga de compuerta (Qg): 15 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252, DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD306P
FDD306P Datasheet (PDF)
1.1. fdd306p.pdf 
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January 2005 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET Features Applications ■ –6.7 A, –12 V. RDS(ON) = 28 mΩ @ VGS = –4.5 V ■ DC/DC converter RDS(ON) = 41 mΩ @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = –1.8 V General Description ■ Fast switching speed This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s ■ High performance trench technology for ext
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