FDD306P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD306P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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FDD306P datasheet

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FDD306P

January 2005 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Features Applications 6.7 A, 12 V. RDS(ON) = 28 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converter RDS(ON) = 41 m @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 90 m @ VGS = 1.8 V General Description Fast switching speed This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild s High performance trench technology for ext

Otros transistores... FDD20AN06A0F085, FDD24AN06LA0F085, FDD2572, FDD2572F085, FDD2582, FDD2670, STU09N25, FDD26AN06A0F085, 10N65, FDD3510H, STU06L01, FDD3670, STU04N20, FDD3672, STU03N20, FDD3672F085, STU03L07