FDD306P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD306P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD306P

FDD306P Datasheet (PDF)

..1. Size:505K fairchild semi
fdd306p.pdf

January 2005FDD306PP-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Features Applications 6.7 A, 12 V. RDS(ON) = 28 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converter RDS(ON) = 41 m @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 90 m @ VGS = 1.8 VGeneral Description Fast switching speedThis P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchilds High performance trench technology for ext

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Liste

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