FMW60N070S2HF Todos los transistores

 

FMW60N070S2HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMW60N070S2HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO247

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FMW60N070S2HF datasheet

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FMW60N070S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HF FEATURES Drain Current I = 53.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dri

 8.1. Size:231K  inchange semiconductor
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FMW60N070S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HF FEATURES With low gate drive requirements Low switching loss Low on-state resistance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

Otros transistores... 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , 2SK736 , 2SK810 , 2SK811 , 2SK895 , 2SK896 , AON7506 , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , ISCD3NK80Z , ISCNH060D , FDN363N .

History: 2SK1444LS | WMN15N65F2

 

 

 

 

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