FMW60N070S2HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FMW60N070S2HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FMW60N070S2HF
FMW60N070S2HF Datasheet (PDF)
fmw60n070s2hf.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HFFEATURESDrain Current : I = 53.2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dri
fmw60n190s2hf.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HFFEATURESWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour
Другие MOSFET... 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , 2SK736 , 2SK810 , 2SK811 , 2SK895 , 2SK896 , AON7506 , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , ISCD3NK80Z , ISCNH060D , FDN363N .
History: SE8209 | 2SK3788-01 | 20N3LG-TO251 | 2SK3773-01MR | TPM2030-3 | SML1004R2GN | SIR432DP
History: SE8209 | 2SK3788-01 | 20N3LG-TO251 | 2SK3773-01MR | TPM2030-3 | SML1004R2GN | SIR432DP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773

