FMW60N070S2HF - описание и поиск аналогов

 

FMW60N070S2HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMW60N070S2HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FMW60N070S2HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMW60N070S2HF даташит

 ..1. Size:331K  inchange semiconductor
 fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N070S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HF FEATURES Drain Current I = 53.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dri

 8.1. Size:231K  inchange semiconductor
 fmw60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMW60N070S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HF FEATURES With low gate drive requirements Low switching loss Low on-state resistance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

Другие MOSFET... 2SK430L , 2SK430S , 2SK591 , 2SK736 , 2SK810 , 2SK811 , 2SK895 , 2SK896 , AON7506 , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , ISCD3NK80Z , ISCNH060D , FDN363N .

History: SI4465ADY-T1-E3 | J305 | 2SK3455B | 2SK846 | 2N90L-TF3-T | AP4513GH | 80N08A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.