ISCD3NK80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCD3NK80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Encapsulados: TO252
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ISCD3NK80Z datasheet
iscd3nk80z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCD3NK80Z FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.
Otros transistores... 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , 4N60 , ISCNH060D , FDN363N , ISCNH363N , ISCNH370W , ISCNH371D , ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D .
History: IRF7313Q
History: IRF7313Q
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Liste
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