ISCD3NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISCD3NK80Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 24 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISCD3NK80Z
ISCD3NK80Z Datasheet (PDF)
iscd3nk80z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCD3NK80ZFEATURESDrain Current : I = 2.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .