ISCD3NK80Z Todos los transistores

 

ISCD3NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISCD3NK80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ISCD3NK80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  inchange semiconductor
 iscd3nk80z.pdf pdf_icon

ISCD3NK80Z

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCD3NK80ZFEATURESDrain Current : I = 2.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Otros transistores... 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , 10N65 , ISCNH060D , FDN363N , ISCNH363N , ISCNH370W , ISCNH371D , ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D .

History: SFB107N200C3 | NCEP025N60AG

 

 
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