ISCD3NK80Z - описание и поиск аналогов

 

ISCD3NK80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCD3NK80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ISCD3NK80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCD3NK80Z даташит

 ..1. Size:428K  inchange semiconductor
 iscd3nk80z.pdf pdf_icon

ISCD3NK80Z

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCD3NK80Z FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие MOSFET... 2SK895 , 2SK896 , FMW60N070S2HF , 60NM60L-T3P , 60NM60L-T47 , 60NM60G-T3P , 60NM60G-T47 , ISC60NM60L , 4N60 , ISCNH060D , FDN363N , ISCNH363N , ISCNH370W , ISCNH371D , ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D .

History: RUC002N05HZGT116 | IRF7351

 

 

 

 

↑ Back to Top
.