ISH3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ISH3N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISH3N150

ISH3N150 Datasheet (PDF)

..1. Size:255K inchange semiconductor
ish3n150.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor ISH3N150FEATURESDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage- V 1500V(Min)DSS:Static Drain-Source On-Resistance R

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Liste

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