ISH3N150 Todos los transistores

 

ISH3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISH3N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
 

 Búsqueda de reemplazo de ISH3N150 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ISH3N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 ish3n150.pdf pdf_icon

ISH3N150

isc N-Channel MOSFET Transistor ISH3N150FEATURESDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage- V 1500V(Min)DSS:Static Drain-Source On-Resistance R

Otros transistores... ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , AON6380 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U .

 

 
Back to Top

 


 
.