ISH3N150 - описание и поиск аналогов

 

ISH3N150. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISH3N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO3PB

Аналог (замена) для ISH3N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISH3N150 даташит

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 ish3n150.pdf pdf_icon

ISH3N150

isc N-Channel MOSFET Transistor ISH3N150 FEATURES Drain Current I = 3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V 1500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R

Другие MOSFET... ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , IRFZ24N , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U .

History: IRLR3714PBF | BSR302N | AFN4172WSS8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.