Справочник MOSFET. ISH3N150

 

ISH3N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISH3N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PB
 

 Аналог (замена) для ISH3N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISH3N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 ish3n150.pdf pdf_icon

ISH3N150

isc N-Channel MOSFET Transistor ISH3N150FEATURESDrain Current I = 3A@ T =25D CDrain Source Voltage- V 1500V(Min)DSS:Static Drain-Source On-Resistance R

Другие MOSFET... ISCNH372B , ISCNH373F , ISCNH374D , ISCNH375W , ISCNH376L , ISCNH377B , ISCNH379P , ISF40NF20 , AON6380 , IXFY26N30X3 , IXFA26N30X3 , IXFP26N30X3 , MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U .

History: 2SK1960 | FDMC86320

 

 
Back to Top

 


 
.