SCT20N120 Todos los transistores

 

SCT20N120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SCT20N120

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.239 Ohm

Encapsulados: HIP247

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SCT20N120 datasheet

 ..1. Size:493K  st
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SCT20N120

SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 20 A, 1200 V, 189 m (typ., TJ=150 C), N-channel in a HiP247 Datasheet - production data Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Slight variation of switching losses vs. temperature Very high operating temperature capability 3 (200 C) 2 1 Very fast and robust intrinsic body diode Low ca

 9.1. Size:389K  rohm
 sct2080ke.pdf pdf_icon

SCT20N120

SCT2080KE N-channel SiC power MOSFET Datasheet lOutline TO-247 VDSS 1200V TO-247N RDS(on) (Typ.) 80m ID 40A lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance (1) Gate 2) Fast switching speed (2) Drain 3) Fast reverse recovery (3) Source 4) Easy to parallel * Body Diode 5) Simple to drive 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications*1 TO-247 TO-247N

Otros transistores... MMD60R900QRH , STF23N80K5 , STF6N90K5 , SW3N90U , SWI3N90U , SWMI3N90U , SWD3N90U , SCT10N120 , IRF830 , STB100N6F7 , STB10LN80K5 , STB15N65M5 , STB15NK50Z , STB15NK50Z-1 , STB17N80K5 , STB200NF04 , STB23N80K5 .

History: WPM9435 | 2SK346 | ISCNH376L | NTD4855N | NTD4856N | 2SK3731 | WPM4803

 

 

 

 

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